本文在前期优化的电镀液的基础上，使用脉冲电镀工艺获得了高密度的纳米孪晶铜。为了进一步揭示孪晶形成的影响因素，研究了系列MPS浓度在镀液中的作用。当镀液中并未添加MPS时，镀层由粗大的晶粒组成，平均晶粒大小为0.9 μm，晶粒内部含有少量的垂直或倾斜于膜面的孪晶界，镀层的晶粒取向为（110）和（111）共存，两者织构比例分别为49%和27.8%。从FIB微观组织观察和X射线衍射的结果可知，当镀液中添加10 ppm的MPS后，镀层组织变为柱状纳米孪晶铜组织，柱状晶内部含有高密度水平方向的孪晶界，同时晶粒取向变为高度择优的（111）。当MPS含量从10 ppm持续上升至40 ppm，镀层组织和晶粒取向无明显变化。具体地，当镀液中添加40 ppm的MPS时，镀层晶粒大小为0.6 μm，且镀层晶粒（110）和（111）的织构比例分别为3.45%和95.1%。这说明，可以通过MPS的含量调节提高纳米孪晶铜电镀液的填充能力，而纳米孪晶微观组织的形成并不受影响。基于上述结果，我们使用该电镀液配方及工艺进行了大马士革微盲孔的填充。结果表明，当MPS含量为40 ppm时，可以实现大马士革微盲孔的无孔填充。纳米孪晶铜电镀液填充能力的提升使得纳米孪晶铜在IC制造应用成为可能，很大程度上促进了下一代互连材料的发展。

铜互连是保障电子设备的功能、性能、能效、可靠性以及制备良品率至关重要的一环。铜互连常通过在酸性镀铜液电镀铜实现，并广泛用于芯片、封装基材和印制电路板中。其中，有机添加剂在调控铜沉积完成沟槽填充、微孔填充以形成精密线路和实现层间互连方面起着决定性作用。添加剂主要由光亮剂、抑制剂和整平剂三组分组成，在恰当的浓度配比下，添加剂对于盲孔超级填充具有协同作用。目前，已报导的文献聚焦于代表性添加剂的超填充机理及其电化学行为，而对于添加剂的化学结构与制备方法鲜有深入研究。本文重点研究了各添加剂组分的制备工艺和快速电化学筛选方法，为电镀铜添加剂的未来发展提供理论指导。

石墨烯具有优异的物理特性，如单原子厚度、极高的载流子迁移率等。然而，其零带隙的半金属特性限制了其在高性能场效应晶体管中的应用。为此，研究者们提出了石墨烯纳米化、外场诱导、掺杂以及化学图案化等策略，以调控其带隙宽度。但是，这些方法的可控性以及稳定性还需要进一步改善。在本研究中，我们提出采用电化学溴化并结合光刻图案化调控单层石墨烯的电子传输特性，通过这种方法，成功制备了图案化的溴化石墨烯（SLGBr）。进一步研究表明，单层石墨烯的电子传输性能可以通过溴化程度来调控。当溴化程度较小时，SLGBr表现为电阻特性，且其电导随溴化程度增加而减小；当溴化程度增加到一定值时，SLGBr表现为与半导体类似的特性。本研究将为全石墨烯器件的制备提供可行的技术路线，拓展其在微电子领域的应用。

为了深入研究波纹管在海洋大气环境下的腐蚀过程以及准确预测其使用寿命，在考虑局部电化学反应、氧气浓度及溶液中均相反应的基础上，本文采用有限元法模拟研究了波纹管波峰和波谷在不同电解质液膜厚度下的点腐蚀速度和腐蚀坑形态，同时，为了提高计算精度，本文使用插值函数的形式直接导入拟合后的极化曲线数据作为电极表面的非线性边界条件。研究结果表明，波峰比波谷的腐蚀速度更快；随着电解质液膜厚度的增加（从10 μm增加到500 μm），波峰和波谷的腐蚀速度均逐渐减慢，波峰处在模拟时长为120 h后的最大腐蚀速度从0.720 mm/a减小至0.130 mm/a，波谷处从0.520 mm/a减小至0.120 mm/a，两处的腐蚀速度差异逐渐减小；随着腐蚀的进行，腐蚀坑逐渐向着基体内部扩展，除了纵向扩展外，其还沿着钝化膜界面横向扩展，直至穿透整个基体。本研究为不锈钢波纹管在海洋环境下的防腐工作提供了参考。