“电子电镀及高端制造”专题文章
石墨烯具有优异的物理特性,如单原子厚度、极高的载流子迁移率等。然而,其零带隙的半金属特性限制了其在高性能场效应晶体管中的应用。为此,研究者们提出了石墨烯纳米化、外场诱导、掺杂以及化学图案化等策略,以调控其带隙宽度。但是,这些方法的可控性以及稳定性还需要进一步改善。在本研究中,我们提出采用电化学溴化并结合光刻图案化调控单层石墨烯的电子传输特性,通过这种方法,成功制备了图案化的溴化石墨烯(SLGBr)。进一步研究表明,单层石墨烯的电子传输性能可以通过溴化程度来调控。当溴化程度较小时,SLGBr表现为电阻特性,且其电导随溴化程度增加而减小;当溴化程度增加到一定值时,SLGBr表现为与半导体类似的特性。本研究将为全石墨烯器件的制备提供可行的技术路线,拓展其在微电子领域的应用。
为了深入研究波纹管在海洋大气环境下的腐蚀过程以及准确预测其使用寿命,在考虑局部电化学反应、氧气浓度及溶液中均相反应的基础上,本文采用有限元法模拟研究了波纹管波峰和波谷在不同电解质液膜厚度下的点腐蚀速度和腐蚀坑形态,同时,为了提高计算精度,本文使用插值函数的形式直接导入拟合后的极化曲线数据作为电极表面的非线性边界条件。研究结果表明,波峰比波谷的腐蚀速度更快;随着电解质液膜厚度的增加(从10 μm增加到500 μm),波峰和波谷的腐蚀速度均逐渐减慢,波峰处在模拟时长为120 h后的最大腐蚀速度从0.720 mm/a减小至0.130 mm/a,波谷处从0.520 mm/a减小至0.120 mm/a,两处的腐蚀速度差异逐渐减小;随着腐蚀的进行,腐蚀坑逐渐向着基体内部扩展,除了纵向扩展外,其还沿着钝化膜界面横向扩展,直至穿透整个基体。本研究为不锈钢波纹管在海洋环境下的防腐工作提供了参考。
在化学镀钴过程中,我们发现添加剂糖精的加入可明显改变化学镀钴层表面的形貌、织构取向及镀层的导电性。研究表明,当糖精添加量为3 mg·L-1时,钴镀层由无序大晶粒转变为蜂巢状结构,具有密排六方(HCP)钴晶体的(002)择优取向,其电阻率降低至14.4 μΩ·cm,经过热处理后,电阻率进一步降低至10.7 μΩ·cm,这对于其在芯片中的应用具有重要价值。当糖精浓度升高时,晶粒逐渐细化,呈现“石林”状结构,择优取向不变,而糖精的加入在一定程度上提高了镀钴膜的纯度。通过密度泛函理论对钴镀层结晶行为的研究表明,糖精分子可吸附于钴密排晶面的特定c位点,抑制abc堆积方式生长,诱导晶体按ab堆积方式生长,从而实现HCP(002)晶面的择优生长。
镁合金由于具有可降解性和生物相容性,被认为是生物植入物应用的有前景的候选材料。然而,其快速腐蚀仍然是实际应用的一个关键限制因素。本研究开发了一种多功能纳米复合涂层,旨在提高镁合金植入物的耐腐蚀性和抗菌性能。该涂层由表面修饰TiO2@Ag核-壳纳米颗粒的γ-环糊精金属有机框架(γ-CD MOF)构成,并嵌入到聚己内酯(PCL)基体中(PCL-TiO2@Ag/γ-CD MOF),与未修饰TiO2@Ag核-壳纳米颗粒的涂层(PCL/γ-CD MOF)进行比较。模拟体液浸泡测试结果表明,虽然PCL-TiO2@Ag/γ-CD MOF复合涂层初始的腐蚀速率高于PCL/γ-CD MOF涂层,但随着浸泡时间的推移,其性能显著改善。五天后,腐蚀抑制率达到95.44%,腐蚀速率降至1.70 mpy。此外,该复合涂层对大肠杆菌、假单胞菌和金黄色葡萄球菌均表现出较强的抗菌活性。研究证实,该涂层促进了成骨样MC3T3-E1细胞的生长和繁殖,从而具有无毒性和良好的生物相容性。本研究结果表明,PCL-TiO2@Ag/γ-CD MOF纳米复合涂层在可降解镁合金植入物中具有良好的生物相容性、抗菌性和耐腐蚀性,在生物医学领域具有广阔的应用前景。
为落实国家科技发展规划总体部署,在十四五的收官之年,由国家自然科学基金委员会化学科学部主办的电化学“十五五”发展规划战略研讨会于2025年8月29日在厦门成功举办。本次战略研讨会汇聚国内电化学领域的顶尖智慧,为我国电化学学科在“十五五”期间的高质量发展进行布局谋篇,对服务国家重大战略需求、提升我国电化学研究的国际竞争力具有重要意义。本文将聚焦这次战略研讨会对我国未来五年(2026-2030)电化学学科发展提出的战略需求及优先领域,由来自界面电催化、储能界面电化学、生物电化学、氢能电化学、电化学微/纳制造、电化学工况表征、电-热耦合催化、理论与计算电化学发展战略、电化学合成等9个研究方向40多位国内电化学领域领军专家,系统梳理了我国电化学基础研究与应用基础研究的发展现状,深入剖析电化学学科发展面临的核心问题与关键挑战,并结合国家重大战略需求提出未来5-10年电化学学科的前沿领域和发展趋势,进一步推动学术界形成更清晰的共识。本文所凝练的电化学学科“十五五”发展规划战略及优先领域建议,将为推动电化学学科高质量发展、支撑科技强国建设提供重要参考。