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1997年 第3卷 第1期 刊出日期:1997-02-28
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研究论文
硫酸溶液中铅阳极膜研究的几个问题(三)
柳厚田,王群洲,周伟舫
1997, 3(1): 1-5.
摘要
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硫酸溶液中铅阳极膜研究的几个问题(三)①柳厚田*王群洲周伟舫(复旦大学化学系上海200433)蔡文斌(固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化系系厦门361005)1阳极硫酸铅膜阴极还原为金属铅的液膜机理[1]奇怪的是,对铅蓄电池充电时的基本过程的机...
采用粉末微电极技术改善电流型酶电极的输出性能(英文)
查全性,陈剑,刘佩芳
1997, 3(1): 10-10.
摘要
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由于酶反应的特异性,酶电极在检测生物底物的工作中得到了较广泛的应用.然而电流型酶电极有以下的缺点,包括响应电流低,活性组份流失造成的电极使用寿命下降以及响应电流的非线性等.本文根据粉末酶电极模型进行了动力学分析,得出在两种极端情况下粉末酶电极的电流响应动力学公式,以及由响应电流估算表观米氏常数的方法.采用了两种粉末酶电极(C-PU-GOD和C-AQ-DBFc-GOD)对理论分析进行了验证.实验结果与理论推导较好地吻合,均表明采用粉末微电极技术可显著地提高酶电极的响应电流和扩展酶电极响应的线性范围
利用约束刻蚀剂层技术提高硅的刻蚀分辨率(英文)
祖延兵,谢雷,毛秉伟,穆纪千,谢兆雄,田昭武,孙立宁
1997, 3(1): 14-14.
摘要
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高分辨率刻蚀技术对于微机械及微电子器件的加工具有十分重要的意义,而硅是其中极为重要并占统制地位的材料。近年来,扫描电化学显微镜(SECM)用于表面加工的研究颇受注目。然而,SECM刻蚀分辨率往往因为刻蚀剂的横向扩散而受到限制。最近,田昭武等提出的一种可进行高分辨率微加工的新方法——约束刻蚀剂层技术(CELT),可使刻蚀反应具有高度的距离敏感性,刻蚀分辨率得到极大改善。我们利用CELT技术刻蚀硅表面,以60μm及100μm直径微电极产生刻蚀剂Br2,刻蚀溶液中加入亚砷酸作为Br2的捕捉剂刻蚀得到的图案与所用微电极尺寸符合,直径分别约为60μm和100μm。与SECM方法得到的110μm和180μm分辨率相比,刻蚀分辨率得到大幅度提高。
交流电化学热法测定电极反应熵变
董良俊, 庄继华, 江志裕
1997, 3(1): 15-20.
摘要
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2388
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交流电化学热法测定电极反应熵变①董良俊庄继华江志裕*(复旦大学化学系上海200433)电极反应的熵变是电极过程的重要物理化学参数之一.测定电极反应的熵变不仅有助于分析电极反应,而且由于熵变与电极反应时的温度变化密切相关,对于一些实际体系,如化学电源、...
金粗糙表面原子水平的STM研究(英文)
蔡雄伟,谢兆雄,卓向东,毛秉伟
1997, 3(1): 25-25.
摘要
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至今为止所报道的对固体表面原子水平的研究几乎毫无例外的局限在单晶表面。其主要原因之一是存在着在多晶或粗糙表面上获得原子分辨STM图象的困难性。尽管如此,由于多晶材料是更为普遍、更切实际的进行各种物理和化学过程的场所,若能实现多晶或粗糙表面的原子水平的观察,其研究意义和前景将大为拓宽。本文报道在含氯化钾的电化学体系中极端条件下金(111)面和多晶金表面结构的原子水平的STM观察。图一为Au(111)面在不同条件下的电化学现场STM图。在400~-400mV电位区间内Au(111)保持稳定的(1x1)结构,未观察到来自于Au表面的重构或Cl-吸附层结构。当电位负移至-600以内,尽管此时金电极仍处于双电层区,Au表面已出现一定程度的粗糙。有趣的是,当电位经过1.0V后返回至0V时,大范围的STM图象显示了由原子台阶构成的孔洞和原子平整的晶面共成的情形。图二为空气下得到的金多晶的表面形貌(A)和原子分辨表面结构(B)的STM图。分析图二(B)和(C)可以得知,图中两亮点之间的平均距离为0.4nm,可以排除原子簇结构的可能。可以确定这些具有一定取向的亮点为原子阵列,而较大的原子间距正反应了多晶表面与本体结构的不同之
研究甲酸在多孔Pt上吸附质的性质以及它与CO的相互作用(英文)
夏兴华 Iwasita T. Vielstich W.
1997, 3(1): 39-39.
摘要
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应用现场红外反射光谱(FTIR)和微分电化学质谱(differentialelectrochemicalmassspectrometer,DEMS)研究了甲酸在多孔Pt上吸附质的性质.伏安结果显示了甲酸在多孔Pt上吸附质的氧化与吸附电位和吸附时间有关.在线质谱结果表明从甲酸吸附质氧化成二氧化碳所需要的电子数(ne)与吸附电位无关.显然地ne=2.2说明了甲酸吸附质是由CO和COH组成,而不是只有单一的CO或者COH.另一方面,在1262cm-1和2048cm-1出现的现场红外光谱带证实了甲酸在多孔Pt上的吸附质中存在CO和COH表面物质.此外,用DEMS技术和碳-13同位素标的甲酸作探针研究了甲酸吸附质和CO的相互作用.结果表明溶液中的甲酸不能取代先吸附的CO,而溶液中的CO可以与75%先吸附的甲酸吸附质发生交换.
异咯嗪蒙脱石修饰电极的电化学行为
吴志斌,林原,章道道,吴浩青,董绍俊
1997, 3(1): 40-44.
摘要
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2218
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应用十六烷基三甲基溴化铵对蒙脱石进行改性,成功地制备稳定性良好的异咯嗪蒙脱石修饰电极.用循环伏安法对此修饰电极的电化学行为进行了研究,测定了异咯嗪在蒙脱石膜内的化学扩散系数,对异咯嗪在改性蒙脱石中电极反应机制进行了探讨
Nafion膜表面亲水性研究
祖延兵,查全性
1997, 3(1): 45-49.
摘要
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Nafion膜在电化学体系中的应用越来越广泛,而其表面亲水性往往直接影响着使用性能.本文介绍一种适宜于表征Nafion膜表面亲水性的接触角测量方法,即束缚气泡法,并讨论了该膜与水溶液接触角的滞后现象、溶液表面张力的影响,简介了用全氟表面活性剂改善Nafion膜表面亲水性的尝试.
甘草酸的电化学行为研究
王春明,张延荣,力虎林
1997, 3(1): 50-54.
摘要
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用循环伏安法、单扫描示波极谱法研究了甘草酸(glycyrrhizic,GA)在汞电极上的电化学行为及反应机理.证明甘草酸在pH=4~12的缓冲溶液(H3BO3+H3PO4+乙酸+NaOH)中有吸附峰,且示波极谱导数峰值与甘草酸浓度在8.3×10-5~1.2×10-6mol/L范围内成正比,使用悬汞电极(HMDE)线性扫描伏安法可使检测下限达2.4×10-6mol/L.根据实验结果首次提出了甘草酸在汞电极上的反应机理.该机理同时被紫外光谱证明,得到合理解释
酸性溶液中β-苯胺基苯丙酮在铁上的吸脱附行为
卜宪章,汪的华,邹津耘,甘复兴
1997, 3(1): 55-60.
摘要
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用极化曲线法研究了0.5mol·L-1硫酸溶液中β-苯胺基苯丙酮(PAP)在铁-溶液界面的吸脱附行为及Cl-,I-的影响.结果表明,PAP的吸附遵循Flory-Huggns等温式;在较正的极化电位区出现阳极脱附现象.讨论了两种粒子联合吸附方式与浓度的关系,提出可根据吸附粒子的脱附电位与其浓度关系来推断联合吸附的理论模型
电沉积Ni-PSZ梯度镀层过程中阴极电流效率的研究
李君,王殿龙,陈莉,胡信国
1997, 3(1): 61-66.
摘要
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采用动电位扫描,电化学交流阻抗及扫描电子显微镜研究电沉积Ni-PSZ梯度镀层过程中阴极电流效率的变化规律及其机理.结果表明,Ni-PSZ复合镀层对氢的析出反应具有催化作用,在镀液中加入PSZ微粒后,能增大镍还原过电位,降低氢析出过电位,从而不断降低电沉积梯度镀层过程中的阴极电流效率.在电沉积Ni的过程中,有中间吸附相Ni+ads生成,PSZ微粒的加入能优先催化Hads,加速氢气析出
铁-杂多酸液流电池的研究(英文)
孙培菊, 谷元鹏, 由万胜, 谭忠印, 衣宝廉
1997, 3(1): 71-71.
摘要
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2696
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本文报道的氧化还原流动池,负极活性物质为FeSO4,正极为H3PMo12O40(HP).具有选择性的阳离子交换膜将两个经活化的多孔碳毯电极分开,两个氧化还原电对在碳和石墨电极上都具有相适应的电化学可逆性.电池的活性物质很稳定,电池没有使用寿命限制
Ba-Pb-O和Bi-Pb-O的电化学合成和表征
谢民, 赵良仲, 徐翠英, 张金彪
1997, 3(1): 72-75.
摘要
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本文研究了用电化学方法在水溶液中合成铅基氧化物Ba-Pb-O和Bi-Pb-O的方法,并采用XPS,XRD和EDX对电合成产物进行了表征
尖晶石LiMn_2O_4锂充放电池的电化学研究
冯力, 常玉勤, 伍丽娥, 李泓, 单义斌, 陆天虹
1997, 3(1): 76-78.
摘要
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本文报导尖晶石型LiMn2O4化合物的制备方法,用循环伏安法和交流阻抗技术研究了Li/有机电解液/LiMn2O4电池的电化学行为,用分形理论首次考察和进一步讨论电极材料的阻抗行为随锂离子嵌入或脱嵌电极时的变化
具有阳极氧化膜的镁合金电极性能的研究
迟毅,杨萍,林秀峰
1997, 3(1): 79-85.
摘要
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镁合金电极上生成阳极氧化膜的保护技术,使电极耐大气腐蚀的性能大大优于用铬酸盐膜保护的镁电极.阳极氧化工艺条件不同,镁电极的耐腐蚀性和电压滞后性能不同,本文讨论了膜的组成、形态、厚度等对性能的影响
锂离子电池负极碳材料的表面改性与修饰Ⅱ.具有“核壳”结构的碳及其对电池性能的影响
马树华,国汉举,李季,梁洪泽,景遐斌,王佛松
1997, 3(1): 86-91.
摘要
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以具有气相碳化形式的精制煤焦油沉积碳为壳层材料、人造石墨(AG)及中间相石墨微球(2800℃)为核材料制备了核壳结构的碳及碳电极.核壳结构碳及核壳结构碳电极的充放电研究表明碳负极的稳定充放电容量及首次充放电效率都得到了较大的改善,循环伏安研究表明在0.7V(vsLi+/Li)左右用于形成碳电极表面钝化膜的溶剂的还原分解峰显著减小,显示了核壳结构碳材料电极对电极表面钝化膜的影响作用,X射线衍射研究揭示了石墨及石墨电极上的无定形碳壳层的存在
电镀及化学镀磁记录介质薄膜的最新进展
安茂忠,杨哲龙,张景双,屠振密
1997, 3(1): 92-98.
摘要
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本文综述了近年来国外电镀及化学镀磁记录介质薄膜的最新研究进展、电镀及化学镀镀液组成、工艺条件及其对薄膜性能的影响、存在问题及发展方向等.磁记录介质薄膜的制备,过去一直采用溅射方法,近年来国外开展了电镀及化学镀方法制备的研究.电镀方法包括水溶液电镀(如:Ni-Fe、Fe-Co合金等)和非水溶液电镀(如Tb-Fe、Nd-Fe、Tb-Fe-Co合金等),化学镀则是在Ni-P、Co-P合金的基础上,通过添加其它金属盐,得到磁记录介质薄膜,如:Co-Ni-P、Co-W-P、Co-Mn-P、Co-Ni-Re-P合金等
Co-WC电极
朱则善,肖秀峰,刘榕芳,施晶莹,陈衍珍,胡文云
1997, 3(1): 99-102.
摘要
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从钴镀液中添加WC微粒复合电沉积制备Co-WC镀层,WC微粒的加入,加快了阴极电化学反应.Co-WC复合电极在碱性溶液中具有优越的电催化析氢性能,并经受了长期间断电解的试验,电极性能稳定
纯钯电沉积及其成核机理研究
杨防祖,许书楷,姚士冰,陈秉彝,郑雪清,钟晓慧,周绍民
1997, 3(1): 103-108.
摘要
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研究在柠檬酸钾和草酸铵镀液体系中纯钯电沉积及电结晶机理.结果表明,采用本实验室研制的添加剂②XP-4和XP-7,可在电流密度0.5~3.5A/dm2,温度40~60℃的宽广范围内获得全光亮的钯电沉积积层.采用脉冲电源电镀可有效地改善厚沉积层质量,减少沉积层裂纹和孔洞.循环伏安实验表明,钯电极过程的阴阳极峰电位之差达1.05V,说明其电极过程明显不可逆;伏安图上同时出现一感抗性电流环,说明钯沉积过程发生晶核形成过程;XP-4和XP-7阻化电沉积和氢的析出,提高钯电沉积的沉积电位.电位阶跃实验进一步表明,钯遵循连续成核和三-维生长的电结晶机理.
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