电沉积铜钴纳米多层膜的机理研究

电化学（中英文） ›› 1997, Vol. 3 ›› Issue (4): 401-407.

电沉积铜钴纳米多层膜的机理研究

薛江云,吴继勋,杨德钧

北京科技大学表面科学与腐蚀工程系

收稿日期:1997-11-28 修回日期:1997-11-28 出版日期:1997-11-28 发布日期:1997-11-28

Mechanism of Electrodeposition of Cu/Co Multilayer Thin Films

Xue Jiangyun* Wu Jixun Yang Dejun

(Department of Surface Science and Corrosion Engineering University of Science and Technology, Beijing, Beijing 100083)

Received:1997-11-28 Revised:1997-11-28 Published:1997-11-28 Online:1997-11-28

摘要/Abstract

摘要： 采用动电位扫描、循环伏安以及电化学交流阻抗等方法研究了铜钴纳米多层膜的电沉积机理．结果表明：在所研究的体系中，铜的沉积是扩散控制的可逆电极过程，而钴的沉积是首先形成Ｃｏ（ＯＨ）ａｄｓ的吸附中间产物，而后在电极上进一步还原为原子态．基于研究结果，提出了铜钴沉积的机制．

关键词: 铜钴合金, 纳米多层膜, 电沉积, 交流阻抗

Abstract: The mechanism of electrodeposition of Cu/Co multilayer thin films has been studied by means of potentodynamic sweep, cyclic voltammetry sweep and AC impendance. The results indicated that the copper deposition is mass transfer controlled process and the cobalt deposition is related to the absorbed intermediate species such as Co(OH)ads. The cobalt ions first form Co(OH)ads, then was deoxygenated to cobalt on the electrode surface.

中图分类号:

TG146.11

薛江云, 吴继勋, 杨德钧. 电沉积铜钴纳米多层膜的机理研究[J]. 电化学（中英文）, 1997, 3(4): 401-407.

Xue Jiangyun Wu Jixun Yang Dejun. Mechanism of Electrodeposition of Cu/Co Multilayer Thin Films[J]. Journal of Electrochemistry, 1997, 3(4): 401-407.

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