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电化学(中英文) ›› 1997, Vol. 3 ›› Issue (1): 25-25. 

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金粗糙表面原子水平的STM研究(英文)

蔡雄伟,谢兆雄,卓向东,毛秉伟   

  1. 厦门大学
  • 收稿日期:1997-02-28 修回日期:1997-02-28 出版日期:1997-02-28 发布日期:1997-02-28

  • Received:1997-02-28 Revised:1997-02-28 Published:1997-02-28 Online:1997-02-28

摘要: 至今为止所报道的对固体表面原子水平的研究几乎毫无例外的局限在单晶表面。其主要原因之一是存在着在多晶或粗糙表面上获得原子分辨STM图象的困难性。尽管如此,由于多晶材料是更为普遍、更切实际的进行各种物理和化学过程的场所,若能实现多晶或粗糙表面的原子水平的观察,其研究意义和前景将大为拓宽。本文报道在含氯化钾的电化学体系中极端条件下金(111)面和多晶金表面结构的原子水平的STM观察。图一为Au(111)面在不同条件下的电化学现场STM图。在400~-400mV电位区间内Au(111)保持稳定的(1x1)结构,未观察到来自于Au表面的重构或Cl-吸附层结构。当电位负移至-600以内,尽管此时金电极仍处于双电层区,Au表面已出现一定程度的粗糙。有趣的是,当电位经过1.0V后返回至0V时,大范围的STM图象显示了由原子台阶构成的孔洞和原子平整的晶面共成的情形。图二为空气下得到的金多晶的表面形貌(A)和原子分辨表面结构(B)的STM图。分析图二(B)和(C)可以得知,图中两亮点之间的平均距离为0.4nm,可以排除原子簇结构的可能。可以确定这些具有一定取向的亮点为原子阵列,而较大的原子间距正反应了多晶表面与本体结构的不同之

关键词: 金, 粗糙表面, 扫描隧道显微镜, 原子分辨

中图分类号: