利用约束刻蚀剂层技术提高硅的刻蚀分辨率

doi:10.61558/2993-074X.3554

电化学（中英文） ›› 1997, Vol. 3 ›› Issue (1): 14-14. doi: 10.61558/2993-074X.3554

利用约束刻蚀剂层技术提高硅的刻蚀分辨率

祖延兵,谢雷,毛秉伟,穆纪千,谢兆雄,田昭武,孙立宁

厦门大学化学系,哈尔滨工业大学

收稿日期:1997-02-28 修回日期:1997-02-28 发布日期:1997-02-28 出版日期:1997-02-28

Improved Etching Resolution on Silicon by the Confined Etchant Layer Technique

Zu Yanbing, Xie Lei, Mao Bingwei, Mu Jiqian, Xie Zhaoxiong, Tian Zhaowu, Sun Lining

State Key Lab. for Phys. Chem. of the Solid Surf., Dept. of Chem., Xiamen Univ., Xiamen 361005.
Robost Inst., Univ. of Tech. of Harbin, Harbin 150001.

Received:1997-02-28 Revised:1997-02-28 Online:1997-02-28 Published:1997-02-28

摘要/Abstract

中图分类号:

TN405.983

祖延兵, 谢雷, 毛秉伟, 穆纪千, 谢兆雄, 田昭武, 孙立宁. 利用约束刻蚀剂层技术提高硅的刻蚀分辨率[J]. 电化学（中英文）, 1997, 3(1): 14-14.

Zu Yanbing, Xie Lei, Mao Bingwei, Mu Jiqian, Xie Zhaoxiong, Tian Zhaowu, Sun Lining. Improved Etching Resolution on Silicon by the Confined Etchant Layer Technique[J]. Journal of Electrochemistry, 1997, 3(1): 14-14.

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Improved Etching Resolution on Silicon by the Confined Etchant Layer Technique

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