摘要： 光电化学刻蚀ｎ＋┐Ｓｉ光致发光①李国铮＊张承乾杨秀梅（山东大学化学系济南２５０１００）对ＰＳ的光致发光（ＰＬ），研究最早见于Ｃａｎｈａｍ１９９０年的报导［１］．高孔率的ＰＳ样品在室温下发出强的可见光，被认为是二维量子尺寸效应所致．这一解释很难从实验上...
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李国铮, 张承乾, 杨秀梅. 光电化学刻蚀n~+-Si光致发光[J]. 电化学（中英文）, 1997, 3(4): 443-446.
Li Guozheng Zhang Chengqian Yang Xiumei. Photoluminescence of Photoelectrochemically Etched n~+-Si[J]. Journal of Electrochemistry, 1997, 3(4): 443-446.
