光电化学刻蚀n+-Si光致发光

doi:10.61558/2993-074X.2669

电化学（中英文） ›› 1997, Vol. 3 ›› Issue (4): 443-446. doi: 10.61558/2993-074X.2669

光电化学刻蚀n⁺-Si光致发光

李国铮,张承乾,杨秀梅

山东大学化学系

收稿日期:1997-11-28 修回日期:1997-11-28 发布日期:1997-11-28 出版日期:1997-11-28

Photoluminescence of Photoelectrochemically Etched n⁺-Si

Li Guozheng* Zhang Chengqian Yang Xiumei

(Dept. of Chem., Shandong Univ., Jinan 250100)

Received:1997-11-28 Revised:1997-11-28 Online:1997-11-28 Published:1997-11-28

摘要/Abstract

中图分类号:

O644

李国铮, 张承乾, 杨秀梅. 光电化学刻蚀n⁺-Si光致发光[J]. 电化学（中英文）, 1997, 3(4): 443-446.

Li Guozheng Zhang Chengqian Yang Xiumei. Photoluminescence of Photoelectrochemically Etched n⁺-Si[J]. Journal of Electrochemistry, 1997, 3(4): 443-446.

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[1]	张泽阳, 孙岚, 林昌健. RGO-TiO₂纳米管阵列的制备及其光电性能[J]. 电化学（中英文）, 2020, 26(6): 844-849.
[2]	周岳珅, 李梦, 吴双, 李照磊, 高延敏. ZnCo₂O₄电极材料的形貌调控制备与超级电容特性的研究[J]. 电化学（中英文）, 2019, 25(6): 740-748.
[3]	弓程, 张泽阳, 向思弯, 孙岚, 叶陈清, 林昌健. LaNiO₃/TiO₂纳米管阵列的电化学制备及其光催化性能[J]. 电化学（中英文）, 2019, 25(6): 682-689.
[4]	吴芝, 孙岚, 林昌健. 太阳能光催化制氢研究进展[J]. 电化学（中英文）, 2019, 25(5): 529-552.
[5]	张莉, 杨迈之, 乔学斌, 郝彦忠, 高恩勤, 蔡生民, 孟凡顺, 田禾. 三甲川菁染料敏化TiO_2纳米结构电极的光电化学[J]. 电化学（中英文）, 1999, 5(4): 377-382.
[6]	李国铮, 张承乾, 张强. n型多孔硅的电发光性能及其XPS和LIMA表征[J]. 电化学（中英文）, 1996, 2(2): 140-143.

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