光电化学刻蚀n+-Si光致发光

doi:10.61558/2993-074X.2669

电化学（中英文） ›› 1997, Vol. 3 ›› Issue (4): 443-446. doi: 10.61558/2993-074X.2669

光电化学刻蚀n⁺-Si光致发光

李国铮,张承乾,杨秀梅

山东大学化学系

收稿日期:1997-11-28 修回日期:1997-11-28 发布日期:1997-11-28 出版日期:1997-11-28

Photoluminescence of Photoelectrochemically Etched n⁺-Si

Li Guozheng* Zhang Chengqian Yang Xiumei

(Dept. of Chem., Shandong Univ., Jinan 250100)

Received:1997-11-28 Revised:1997-11-28 Online:1997-11-28 Published:1997-11-28

摘要/Abstract

摘要： 光电化学刻蚀ｎ＋┐Ｓｉ光致发光①李国铮＊张承乾杨秀梅（山东大学化学系济南２５０１００）对ＰＳ的光致发光（ＰＬ），研究最早见于Ｃａｎｈａｍ１９９０年的报导［１］．高孔率的ＰＳ样品在室温下发出强的可见光，被认为是二维量子尺寸效应所致．这一解释很难从实验上...

中图分类号:

O644

李国铮, 张承乾, 杨秀梅. 光电化学刻蚀n⁺-Si光致发光[J]. 电化学（中英文）, 1997, 3(4): 443-446.

Li Guozheng Zhang Chengqian Yang Xiumei. Photoluminescence of Photoelectrochemically Etched n⁺-Si[J]. Journal of Electrochemistry, 1997, 3(4): 443-446.

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