电化学(中英文) ›› 2009, Vol. 15 ›› Issue (1): 56-61. doi: 10.61558/2993-074X.1955
傅焰鹏;陈慧鑫;杨勇;
FU Yan-peng,CHEN Hui-xin,YANG Yong
摘要: 采用涂膜法和直接生长成膜法分别制备两种硅纳米线电极.XRD、SEM和充放电曲线表征、观察和测定材料嵌锂状态过程的结构、形貌及电化学性能.与涂膜法相比,直接生长成膜法制备的硅纳米线电极具有较高的比容量、良好的循环寿命及较好的倍率性能;直接生长成膜法制备的硅纳米线电极,其嵌锂过程硅由晶态逐渐转变为非晶态,且其纳米线直径逐渐增大,但线状结构仍保持完好,进而防止了电极粉化和脱落.
中图分类号: