电化学(中英文) ›› 2013, Vol. 19 ›› Issue (2): 155-163. doi: 10.61558/2993-074X.2108
史月丽,吴楠,沈明芳,董佳群,庄全超*,江利
SHI Yue-li, WU Nan, SHEN Ming-fang, DONG Jia-qun, ZHUANG Quang-chao*, JIANG Li
摘要: 采用球磨方法制备了CuF2/MoO3/C复合材料电极,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、恒流充放电、循环伏安(CV)和电化学阻抗谱(EIS)等方法表征与观察复合材料的结构与形貌,测试了电极的电化学性能. 结果表明,球磨CuF2和MoO3晶粒的尺寸为200 ~ 300 nm. CuF2/MoO3/C复合电极10 mA?g-1电流密度首次放电容量为647 mAh.g-1,但随之复合材料循环寿命迅速衰减.循环伏安曲线首次放电,2.2 V左右出现了一个还原峰,第2、3周期该还原峰电位升至3.2 V左右. CuF2/MoO3/C复合电极的Nyquist图由高、中频区两个半圆串接和一条斜线组成. 放电过程,高频区半圆相应于锂离子扩散多层SEI膜,还与电极材料与集流体的接触有关. 中频区半圆与CuF2和MoO3及C的肖特基接触有关. 低频区斜线反映扩散传递过程. CuF2/MoO3/C电极电荷传递阻力较大,这可能也是CuF2/MoO3/C电极容量较快衰减的原因.
中图分类号: