紫铜化学抛光的电化学研究

电化学（中英文） ›› 1996, Vol. 2 ›› Issue (3): 310-313.

紫铜化学抛光的电化学研究

韩克平，方景礼

南京大学化学系，南京化工大学应用化学系

收稿日期:1996-08-28 修回日期:1996-08-28 出版日期:1996-08-28 发布日期:1996-08-28

Electrochemical Studies on Chemical Polishing of Copper

Han Keping;Fang Jingli

(Chem. Depart.,Appl.Chem.Inst.,Nanjing University,Nanjing 210093

Received:1996-08-28 Revised:1996-08-28 Published:1996-08-28 Online:1996-08-28

摘要/Abstract

摘要： 测定了化学抛光过程中紫铜的表面光反射率、失重、表面形貌和电位随时间的变化以及抛光过程的电流－电位曲线。结果表明，紫铜的化学抛光过程由浸蚀，光亮和过腐蚀三个阶段组成。电抛光的钝化膜理论也同样适用于紫铜的化学抛光．

关键词: 紫铜, 化学抛光, 光反射率, 表面形貌

Abstract: Changes in specular reflectivity,weight loss,surface topograph and potential with time and current-potential curves during chemical polishing were determined.The results showed that chemical polishing was composed of the etching,polishing and pitting stage.The passivating film theory also applied to the chemical polishing.

Key words: Copper, chemical polishing, Reflectivity, surface topograph

中图分类号:

TG175.3

韩克平，方景礼. 紫铜化学抛光的电化学研究[J]. 电化学（中英文）, 1996, 2(3): 310-313.

Han Keping;Fang Jingli. Electrochemical Studies on Chemical Polishing of Copper[J]. Journal of Electrochemistry, 1996, 2(3): 310-313.

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[1]	蒋利民*，邓文波，应俊龙. 铝合金电解加工中的钝化行为及其对加工过程的影响[J]. 电化学（中英文）, 2014, 20(1): 28-32.
[2]	豆玉华, 周玉琴, 朱美芳, 宋爽, 刘丰珍, 刘金龙, 张占军, . 不同碱液单晶硅表面织构的初步研究(英文)[J]. 电化学（中英文）, 2008, 14(4): 358-364.
[3]	申丹丹, 杨防祖, 吴辉煌, . 2,2′-联吡啶和亚铁氰化钾对乙醛酸化学镀铜的影响[J]. 电化学（中英文）, 2007, 13(1): 67-71.
[4]	程璇, 刘峰名, 温作新, 林昌健, 田中群, 薛茹. 两步法制备多孔硅及其表征II :脉冲电流法(英文)[J]. 电化学（中英文）, 2001, 7(1): 78-84.
[5]	程璇,刘峰名,林昌健,温作新,田中群,薛茹. 两步法制备多孔硅及其表征I:恒电流法(英文)[J]. 电化学（中英文）, 2000, 6(4): 399-405.
[6]	姚立广，王明贤. 析氯钛基RuO_2－Co_3O_4－TiO_2（60）涂层的研究[J]. 电化学（中英文）, 1996, 2(3): 293-293.