高容量材料Si@CPZS在锂离子电池中的储锂性能研究
张庆暖, 张芳芳, 李红霞, 杨兵军, 李小成, 杨娟
电化学(中英文)
2020, 26 ( 1):
121-129.
DOI:10.13208/j.electrochem.190226
本文通过简单的溶胶-凝胶法以聚环三磷腈-4,4'-磺酰基二苯酚聚合物(PZS)为碳源通过在硅纳米颗粒表面包覆碳层,成功构筑了核壳结构的Si@C复合材料. 通过对不同厚度碳层包覆的Si@CPZS的储锂性能进行研究,发现当硅表面PZS衍生碳厚度为10 nm时具有最佳的储锂性能,且经过长达290圈的循环后容量仍然保持在940 mAh·g-1,并且利用X射线衍射图谱、热重、比表面孔径测定仪及透射电镜等分析手段对样品进行了结构和组分分析. 本文进一步将Si@CPZS复合材料作为石墨的添加剂,结果表明30%的Si@CPZS复合材料可将石墨负极的容量提升至700 mAh·g-1.
Sample | Carbon source | Si content/wt% | Current density/ (mA·g-1) | Capacity/ (mAh·g-1) | Reference | Si@CPZS 100 | PZS | 85.2 | 500 | 940(290 cycles) | This work | Si@SiOx@C | glucose | 75 | 150 | 1100(60 cycles) | [21] | Sample | Carbon source | Si content/wt% | Current density/ (mA·g-1) | Capacity/ (mAh·g-1) | Reference | Si@C | acetylene | 15 | 250 | 639(200 cycles) | [14] | Si@void@C | dopamine | 75 | 100 | 804(50 cycles) | [11] | Si@10C | phenolic resins | 81.7 | 500 | 1006(500 cycles) | [20] |
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表1
与具有核壳结构的Si/C复合材料的性能对比
正文中引用本图/表的段落
为了测试具有不同厚度碳层样品的储锂性能,对Si@CPZS 50、Si@CPZS 100和Si@CPZS 150三个样品进行了系统的电化学性能测试. 图4(A)为样品Si@CPZS 100的循环伏安曲线(CV)图,扫描区间0.01 V ~ 1.50 V. 在首圈扫描中,1.1 V和0.55 V处出现两个特征峰,这两个峰在后来的循环过程中消失,可能为无定型碳表面官能团与 Li+的不可逆反应和SEI膜的形成过程[17]. 0.01 V处尖锐的峰代表着锂离子嵌入晶体硅形成Li15Si4合金的过程[18]. 在阳极过程中,0.32 V和0.51 V处的峰代表着LixSi的脱锂过程[19]. 随着扫描圈数的增加,峰的强度逐渐增大,说明在循环过程中电极材料逐渐被活化. 图4(B)为三个样品的首次充放电曲线,样品Si@CPZS 50、Si@CPZS 100、Si@CPZS 150的首次放电比容量(按活性物质总质量计算得到)分别为3081 mAh·g-1、2643.3 mAh·g-1和2221.4 mAh·g-1,首次库仑效率分别为84.4%、80.6%和78.0%. 可见,随着碳含量的增加,Si@CPZS复合材料的比容量呈降低的趋势. 另外,电极材料的首次库仑效率随着PZS衍生碳含量的提高而逐步降低,这主要是由于碳表面官能团与电解液的不可逆反应造成的,并且,一般认为材料的比表面积越大,形成的SEI膜越多,首次库仑效率也就越低,图2(C)的比表面测试结果也证明了这一点.
通过与已有文献报道的其他硅碳复合材料相比,本文制备的Si@CPZS 100电极材料的性能处于较高水平(如表1所示). Si@CPZS 100的高比容量、长循环寿命以及较好的倍率性能得益于外层包覆的微孔碳. 碳层均匀地包覆在硅颗粒表面,避免硅与电解液直接接触,减少了副反应的发生并缓冲了硅的体积效应;碳层直接与硅表面接触,增强了Si/C之间的结合强度,可以更有效地保持硅在循环过程中的结构完整;另外,PZS聚合物热分解产生的微孔结构缩短了离子传输路径,有利于锂离子快速通过碳层与内部的硅发生反应,进而提高材料的倍率性能[19].
本文的其它图/表
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图1
Si@CPZS的制备示意图
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图2
(A) Si@CPZS 50、Si@CPZS 100和Si@CPZS 150 的XRD图谱. 插图为碳特征峰所在位置的放大图;(B) Si@CPZS 50、Si@CPZS 100和Si@CPZS 150的TG曲线;(C)Si@CPZS 50、Si@CPZS 100、Si@CPZS 150与Si纳米颗粒的N2等温吸脱附曲线;(D) Si@CPZS 100与Si纳米颗粒的孔径分布曲线. 插图为大图中方框位置的放大图.
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图3
(A,D,G,J) Si@CPZS 50、(B,E,H,K) Si@CPZS 100和(C,F,I,L) Si@CPZS 150的光学照片、SEM图像和TEM图像
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图4
(A) Si@CPZS 100 的CV图,扫描速率0.2 mV·s-1;Si@CPZS 50、Si@CPZS 100和Si@CPZS 150的(B)充放电曲线、(C)循环性能、(D)容量保持率、(E)倍率性能
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图5
(A),(B),(C) Si@CPZS 50电极循环后的SEM图像;(D),(E),(F) Si@CPZS 100电极循环后的SEM图像;(G),(H),(I) Si@CPZS 150电极循环后的SEM图像.
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图6
Si@CPZS 100添加量为10%、20%和30%时石墨基电极的循环性能(A)和倍率性能(B)
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