电化学(中英文) ›› 2007, Vol. 13 ›› Issue (3): 274-278.
李金波;朱杰武;郑茂盛;
LI Jin-bo1,2*,ZHU Jie-wu1,ZHENG Mao-sheng1
摘要: 应用电化学阻抗谱技术研究铬对碳钢钝化膜半导体性能的影响.实验表明,在碳酸氢钠/碳酸钠缓冲溶液中碳钢形成的钝化膜具n型半导体特性,而含有3%铬的碳钢钝化膜则呈n-p型半导体特性,随着成膜电位的增加,以上两种钝化膜之Mott-Schottky直线部分的斜率均呈增大的趋势,表明成膜电位升高,膜内的杂质密度减小,但铬的加入使得碳钢钝化膜的施主密度增加约一个数量级,从而增加了碳钢点蚀发生的趋势.EIS分析表明:铬的加入降低了钝化膜的传递电阻R1和膜电阻R2,特别是膜电阻R2下降达3个数量级,这就有可能增加碳钢在高pH值环境中的腐蚀.
中图分类号: