电化学(中英文) ›› 2007, Vol. 13 ›› Issue (3): 264-268. doi: 10.61558/2993-074X.1819
张润香;张玉龙;林华水;
ZHANG Run-xiang1,ZHANG Yu-long2,LIN Hua-shui1*
摘要: 在ICP(inductively coupled plasma)刻蚀后的硅模板上复制聚二甲基硅氧烷(PDMS),经剥离得到含有一定尺寸的规则微柱阵列疏水表面.实验表明,当微柱高度较小时,微柱高度和边长对接触角有正影响,而间距则呈负影响;但如微柱高度较大,则高度对接触角的影响趋小,而边长呈负影响.间距对接触角的影响表现复杂.微柱间距6μm,边长14μm和高14μm微柱阵列的PDMS表面,静态接触角最大,约151°.
中图分类号: