InGaAs薄膜电共沉积研究

doi:10.61558/2993-074X.1407

电化学（中英文） ›› 2000, Vol. 6 ›› Issue (4): 463-468. doi: 10.61558/2993-074X.1407

InGaAs薄膜电共沉积研究

李浴春,王喜莲,韩竞科,韩爱珍,高元恺,杨志伟

哈尔滨工业大学电子科学与技术系!黑龙江哈尔滨150001,哈尔滨工业大学电子科学与技术系!黑龙江哈尔滨150001,哈尔滨工业大学电子科学与技术系!黑龙江哈尔滨150001,哈尔滨工业大学电子科学与技术系!黑龙江哈尔滨150001,哈尔滨工业大学电子科学与技术系!黑龙江哈尔滨150001,山东

收稿日期:2000-11-28 修回日期:2000-11-28 发布日期:2000-11-28 出版日期:2000-11-28

Study on Electrodeposition of InGaAs Thin Film

LI Yu chun 1, WANG Xi lian 1, HAN Jing ke 1, HAN Ai zhen 1* , GAO Yuan kai 1, YANG Zhi wei 2

(1.Department of Electronic Science and Technology Harbin Institute of Technology, Heilongjiang, Harbin 150001, China; 2.Shandong Univers

Received:2000-11-28 Revised:2000-11-28 Online:2000-11-28 Published:2000-11-28

摘要/Abstract

李浴春, 王喜莲, 韩竞科, 韩爱珍, 高元恺, 杨志伟. InGaAs薄膜电共沉积研究[J]. 电化学（中英文）, 2000, 6(4): 463-468.

LI Yu chun 1, WANG Xi lian 1, HAN Jing ke 1, HAN Ai zhen 1 , GAO Yuan kai 1, YANG Zhi wei 2. Study on Electrodeposition of InGaAs Thin Film[J]. Journal of Electrochemistry, 2000, 6(4): 463-468.

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