电化学(中英文) ›› 2010, Vol. 16 ›› Issue (1): 39-42. doi: 10.61558/2993-074X.2034
陈飞彪;吴伯荣;安伟峰;杨照军;吴锋;陈实;
CHEN Fei-biao,WU Bo-rong*,AN Wei-feng,YANG Zhao-jun,WU Feng,CHEN Shi
摘要: 于Ni(OH)2中添加具有电容特性和大电流充放电性能良好的NiO.研究发现掺杂5%NiO的Ni(OH)2在0.2C倍率下放电容量可达310.1mAh/g,而3C放电容量还可以保持79.5%.其循环伏安扫描氧化还原峰电位差仅为164mV,表明该材料的循环可逆性好.由此可见在Ni(OH)2掺杂适量的NiO,对于Ni(OH)2的大电流充放电性能确有改进作用.
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