隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响——控电位下的Si(111)表面的STM诱导纳米刻蚀

谢兆雄

doi:10.61558/2993-074X.2653

电化学 >

1997 , Vol. 3 >Issue 2: 132 - 135

DOI: https://doi.org/10.61558/2993-074X.2653

研究论文

隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响——控电位下的Si(111)表面的STM诱导纳米刻蚀

谢兆雄

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厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室物理化学研究所

收稿日期: 1997-05-28

修回日期: 1997-05-28

网络出版日期: 1997-05-28

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Effects of Tunneling Electrons and Local Field on Nanometer Region Solid / Liquid Interfacial Reactions ——Potential Controlled STM Induced Nanoscale Modification of H terminated Si(111) Surfaces

Xie ZhaoXiong  Cai XiongWei Shi CaiHui Mao BingWei Tian ZhaoWu

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(State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces, Institute of Physical Chemistry, Dept. of Chem., Xiamen Univ., Xiamen 361005

Received date: 1997-05-28

Revised date: 1997-05-28

Online published: 1997-05-28

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谢兆雄 . 隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响——控电位下的Si(111)表面的STM诱导纳米刻蚀[J]. 电化学, 1997 , 3(2) : 132 -135 . DOI: 10.61558/2993-074X.2653

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